CRIUS MOCVD

发布时间：2018年10月16日来源：广东省科学院半导体研究所

CRIUS MOCVD(金属有机化学气相沉积)，是利用金属有机化合物进行金属输运的一种气相外延生长技术，以有机化合物和氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

我院采用的MOCVD设备是德国爱思强（Aixtron）公司生产的CRIUS 31×2" CCS MOCVD系统，进行GaN系蓝绿光材料生长。该设备采用Thomas Swan的垂直式近耦合喷淋反应室，喷淋头与衬底之间的距离为十几厘米，同时喷淋头上喷孔密度高达15.5个/cm2，可以保证从两组相间的喷孔注入的Ⅲ族源和Ⅴ族源在到达衬底前可以充分混合。基座采用三组电阻加热，以保证温度均匀。

本设备生长的材料基本指标是为：

U-doped GaN	生长速率	≥2um/h
	外延厚度均匀度（Tstd/Tavg， Tstd 为厚度均方差，Tavg为厚度平均值）	<3%
	背景载流子浓度@RT（Hall）	n<1×10e17cm-3
	载流子迁移率	≧300cm2/V·s
	002面半峰宽@XRD	≦300arcsec
	102半峰宽@XRD	≦400arcsec
Si-doped GaN	载流子浓度	n≧2×10e18cm-3
	载流子迁移率	≧250cm2/V·s
	方阻均匀性	s/x<3%
p-GaN：	载流子浓度	p≧1×10e17cm-3
	载流子迁移率	≧10cm2/V·s
	电阻率	≦3Ω·cm
AlGaN	组分	>20%
AlGaN	组分均匀性	Xmax-Xmin≦2%
InGaN/GaN MQW	波长	450-460nm
	片内波长均匀性	≦2nm
	片间波长均匀性	≦3nm
	Run to Run均匀性	≦2nm

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