近日，广东省科学院半导体研究所研究微纳加工平台在深紫外发光二极管（DUV-LED）核心技术领域取得重要突破，提出并验证了一种基于 Ni/Ag/Ni 结构的改进型电极方案，成功解决了高 Al 组分 p-AlGaN 材料欧姆接触难以形成的行业共性难题，相关研究成果发表于光学领域国际知名期刊《Optics Express》，广东省科学院半导体所为论文唯一作者单位。
深紫外 LED 凭借节能、环保、长寿命、波长精准及易于集成等优势，已成为杀菌消毒、紫外光疗、水净化和光电探测等领域的核心光源，市场应用前景广阔。但长期以来，常规 p-GaN 接触层对深紫外波段光存在强烈吸收，严重制约了 DUV-LED 的外量子效率（EQE）；同时，AlGaN 材料禁带宽度大、p 型掺杂能级深且空穴浓度低，随着 Al 组分增加，p-AlGaN 欧姆接触的制备难度呈指数级上升，成为阻碍深紫外 LED 产业化发展的关键技术壁垒。
一、攻克行业痛点：破解高 Al 组分 p-AlGaN 欧姆接触难题
当 Al 含量高于 20% 时，传统 Ni/Au 等电极材料无法在 p-AlGaN 上形成良好欧姆接触，不仅导致器件工作电压大幅升高、效率下降，还存在热稳定性差、性能退化迅速等问题。即使采用 Ni/Al、Rh 等改进型电极，器件在 20 mA 下的工作电压仍比含 p-GaN 接触层的参考器件高出 7–10 V，空穴注入效率严重受限。此外，多层结构引入的压应力会进一步劣化晶体质量和 Mg 激活效率，让欧姆接触的制备雪上加霜。
针对上述技术难点，研究团队创新性地采用 Ni/Ag/Ni 三层电极结构，与 DUV-LED 外延结构中的 p-Al₀.₂₈Ga₀.₇₂N 接触层形成欧姆接触，并系统优化了电极层厚度、退火温度与时间等关键工艺参数。实验结果显示，优化后的电极比接触电阻率降至 1.36×10⁻³ Ω・cm²，较常规 Ni/Au 电极降低了两个数量级，达到了深紫外 LED 器件实用化的要求。
二、揭示核心机制：多效应协同提升载流子输运能力
研究团队通过 X 射线光电子能谱（XPS）和 X 射线衍射（XRD）技术，对电极与半导体的界面反应机制进行了深入解析，明确了 Ni/Ag/Ni 电极优异性能的内在成因：（1）退火过程中，p-AlGaN 近界面处的 Ga 原子向外扩散形成 Ga 空位，起到受主作用，有效降低了金属与半导体之间的肖特基势垒；（2）扩散出的 Ga 原子与 Ag、Ni 分别形成 Ag-Ga 和 Ni-Ga 固溶体，增强了界面的导电性和结合力；（3）在空气氛围退火条件下，Ag 和 Ni 与氧反应生成高导电性的 AgNiO₂相，进一步提升了电极整体的导电性能。
上述三种结构特征的协同作用，显著改善了金属与 p-AlGaN 之间的载流子输运能力，为实现低电阻欧姆接触奠定了理论和实验基础。
三、器件性能跃升：外量子效率提升约 27%
研究团队将优化后的 Ni/Ag/Ni 电极成功集成至以 p-Al₀.₂₈Ga₀.₇₂N 为 p 型接触层的 DUV-LED 器件中，彻底摒弃了传统结构中对深紫外光有强烈吸收的 p-GaN 接触层。器件测试结果表明，在 4.7 A/cm² 的电流密度下，器件外量子效率达到 8.30%，较退火时间 3.5 分钟的对照样品提升约 27%，充分证明良好的欧姆接触能够显著改善空穴注入效率和发光区的载流子辐射复合比例。
同时，研究团队也客观指出，随着电流密度进一步升高，器件效率仍会因俄歇复合效应增强而下降。未来，团队将围绕抑制俄歇复合展开深入研究，通过优化多量子阱结构、调控载流子分布、设计新型电子阻挡层等方式，进一步提升 DUV-LED 在大电流密度下的工作性能。
四、产业化前景广阔：助力深紫外产业高质量发展
本研究首次实现了在 Al 占比 28% 的高 Al 组分 p-AlGaN 材料上直接形成低电阻欧姆接触，不仅解决了深紫外 LED 光提取效率低和空穴注入困难的双重难题，还简化了器件制备工艺、降低了生产成本。该技术路线为开发高效率、低功耗的深紫外 LED 产品奠定了关键核心基础，可广泛应用于医疗消毒、饮用水净化、工业废气处理、紫外光电探测等对光源性能要求严苛的领域，具有明确的产业化转化价值。
此次研究工作依托于广东省科学院半导体研究所微纳加工平台完成，该平台具备高精度光刻、金属沉积、快速热退火等成套微纳器件加工能力，为电极结构的精确控制和工艺重复性提供了重要保障。研究得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、广东省基础与应用基础研究基金等多个项目的资助。
论文链接：https://doi.org/10.1364/OE.558849
（供稿：微纳加工平台）
