近日，第十九届全国MOCVD 学术会议在内蒙古呼和浩特顺利召开。广东省科学院副院长、省科学院半导体所党委书记、所长，中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会副主任委员兼秘书长陈志涛，省科学院半导体所副所长赵维、许毅钦，省科学院半导体所先进材料平台多名优秀青年骨干参会。
会议期间，许毅钦受邀作题为《高功率密度LED光源模组光学设计与应用》的专题报告，系统介绍了省科学院半导体所高功率密度LED光源模组在光学设计、性能优化及应用拓展等方面的研究进展。先进材料团队副研究员吴华龙在会上发表的《宏台阶诱导位错倾斜实现高温退火AlN薄膜的位错与残余应力同步调控》获评本次会议优秀Poster奖，该成果为高质量、低应力AlN薄膜的规模化制备提供了创新技术路径。先进材料团队博士任星霖作题为《基于β-Ga₂O₃背势垒的p-GaN栅极HEMT击穿电压增强研究》的口头报告，分享了研究团队在改善器件电场分布、提升p-GaN栅极HEMT击穿性能方面取得的最新成果。
全国MOCVD学术会议是我国化合物半导体材料领域的权威学术会议。本次会议汇聚了国内外产学研代表单位共800余名权威专家与青年学者，共探产业高质量发展新路径。作为中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会挂靠单位，多年来，省科学院半导体所通过持续举办全国性品牌学术会议、细分领域专题研讨会、承担服务国家战略专项等工作，不断深化高校、科研院所与产业链上下游的跨领域、全方位协同创新。与此同时，面向产业发展需求，省科学院半导体所聚焦化合物半导体等领域关键核心技术攻关，聚力破解行业技术瓶颈、突破产业技术壁垒，持续赋能我国半导体及集成电路产业高质量发展。
（供稿：科研业务部）
