近日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会（以下简称专委会）主办，南京大学、中国空间技术研究院北京卫星制造厂有限公司、江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室共同承办的“宽禁带半导体抗辐照功率电子器件专题研讨会”在江苏南京顺利召开。本次研讨会由专委会副主任委员、南京大学教授陆海，专委会委员、北京卫星制造厂有限公司研究员万成安共同召集。专委会主任委员、北京大学教授沈波，专委会副主任委员兼秘书长、广东省科学院正高级工程师陈志涛，专委会委员、中国科学院宁波材料研究所研究员郭炜、中国科学院微电子研究所研究员黄森、西交利物浦大学教授刘雯，深圳大学教授刘新科、中山大学教授刘扬、中国科学院苏州纳米所研究员孙钱、南京邮电大学教授唐为华、深圳平湖实验室研究员万玉喜、奥趋光电（杭州）有限公司总经理吴亮、南京大学教授叶建东、浙江大学教授张辉、吉林大学教授张源涛、广东工业大学教授张紫辉、华润微电子公司正高级工程师郑晨焱，专委会副秘书长、山东大学教授徐明升、广东省科学院半导体研究所博士赵维、南京大学教授周峰等，来自41家单位的70余位产业界、学术界专家参会研讨。
研讨会开幕式由陈志涛主持，沈波线上为大会致辞。沈波表示，当前宽禁带半导体功率器件加快进入空间电源、核技术等应用场景，抗辐照能力与可靠性保障面临诸多亟待解决的问题，本次研讨会召开恰逢其时。会议汇聚了国内宽禁带半导体抗辐照功率电子器件领域的产、学、研、用各界专家，期望与会专家们充分交流、集思广益，为后续技术攻关提供有价值的思路与参考。
研讨会设置专题报告与专题研讨两大环节，其中专题报告环节分别由陆海、万成安、西北核技术研究院研究员陈伟主持，11位专家（产业界6位，学术界5位）作了专题报告，其中北京卫星制造厂有限公司副总师纪志坡、西北核技术研究院研究员陈伟、星测未来科技副总裁李亚男、深圳市魔方卫星科技经理潘鹏飞，分别围绕宽禁带半导体抗辐照器件在宇航电源应用、强辐射环境应用、商业航天卫星以及太空算力应用等方面做专题报告。航天五院供应链中心研究员于庆奎、中国工程物理研究院研究员段丙皇、北京大学教授杨学林、西安电子科技大学教授郑雪峰，分别围绕宽禁带半导体器件抗辐射评估方法、中子辐照损伤、辐照环境下材料缺陷表征与器件性能退化机理等开展交流。浙江大学教授任娜、电子科技大学教授周锌、南京大学教授周峰，分别围绕SiC功率器件辐照效应与加固技术、GaN功率器件辐照效应与加固技术、脉冲激光模拟辐照测试技术等方面进行专题报告。
研讨环节由陆海与万成安共同主持，与会专家围绕“宽禁带半导体器件的‘抗辐照本征优势’如何才能有效发挥”“宽禁带半导体功率器件的单粒子烧毁（SEB）的物理机制仍不清晰，如何有效开展研究和有针对性加固”“从‘能用’到‘好用’——国产宽禁带抗辐照功率器件的产业化‘最后一公里’在哪里？”等议题开展了热烈深入的讨论。经过近三个小时的研讨，与会专家在多个问题上凝聚了重要共识。
万成安与陆海分别作总结发言。他们表示，本次研讨会按照专委会举办的系列专题研讨会的定位与要求，聚焦宽禁带半导体抗辐照功率电子器件这一主题，通过深入交流与研讨，凝聚了共识，研讨会取得了预期效果；希望以本次研讨会为契机，进一步聚焦宽禁带半导体抗辐照领域的关键共性技术和工程应用难题，加强业内交流与协同合作，共同促进我国宽禁带半导体功率电子器件抗辐照技术创新与产业化高质量发展。
中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会成立于2015年12月，是我国第一个宽禁带半导体（第三代半导体）领域的专业委员会，广东省科学院半导体研究所为专委会依托单位。专委会汇聚国内该领域顶尖院士、高校、科研院所与产业链龙头专家，是国内宽禁带半导体领域权威的国家级学术交流与产学研协同平台，主办全国宽禁带半导体学术会议等品牌学术活动，引领国内宽禁带半导体材料与器件方向学术研讨、技术交流和产业建言，有广泛的行业影响力。
（来源：中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会）
